بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد درون یک محفظه

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
  • نویسنده محسن پیرمحمدی
  • استاد راهنما مجید قاسمی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1390
چکیده

در صنعت ریخته گری و رشد بلور از یک میدان مغناطیسی خارجی استفاده می شود تا جریان جابجایی اجتناب ناپذیر ناشی از اختلاف دمای بین ناحیه مذاب و دیوار انجماد را تضعیف کنند. این امر منجر به کنترل بهتر کیفیت بلور و همگنی آن می شود. در این تحقیق اثر میدان مغناطیسی بر ا نتقال حرارت جابجایی آزاد یک فلز مایع، درون یک محفظه مربعی به صورت عددی، مطالعه شده است. هندسه مسئله یک محفظه دو بعدی به همراه دو پارتیشن عایق، یکی بر روی دیوار بالا و دیگری بر روی دیوار پایین می باشد . معادلات حاکم برای جریان های آرام و مغشوش در حالت خواص متغیر با فرض رینولدز مغناط یسی خیلی کوچک و همچنین جریان آرام با فرض اینکه جریان سیال بر میدان مغناطیسی اثرگذار است در نظر گرفته شده اند. این معادلات به همراه شرایط مرزی به صورت عددی و با استفاده از روش حجم محدود حل می شوند. گسسته سازی جملات جابجایی معادله مومنتوم توسط تکنیک هیبرید و جملات پخش از روش تفاضل مرکزی انجام شده است. وابستگی میدان سرعت و فشار از طریق الگوریتم سیمپلر برقرار شده و معادلات تفکیک شده که کاملاً به هم وابسته می باشند از طریق روش ماتریس سه قطری حل می شوند. مسئله برای دو حالت آرام و آشفته برای سدیم مایع با پرانتل 0,01 مورد بررسی قرار گرفته و اثر پارامترهای تاثیر گذار از قبیل عدد رایلی، عدد هارتمن، موقعیت قرارگیری پارتیشن ها و ابعاد پارتیشن ها بر رژیم جریان و توزیع دما در محفظه بررسی شده اند. ابتدا نشان داده شده است که اگر رینولدز مغناطیسی خیلی کوچک باشد جریان سیال بر توزیع میدان مغناطیسی درون محفظه بدون پارتیشن اثر نداشته و میدان مغناطیسی در کل محفظه ثابت و برابر با میدان مغناطیسی اعمال شده می باشد. سپس نشان داده شده است که با اعمال میدان مغناطیسی ، قدرت جابجایی و در نتیجه انتقال حرارت کاهش می یابد. بطوریکه با اعمال میدان مغناطیسی قوی، مکانیزم انتقال حرارت در محفظه به هدایت تبدیل می شود. وجود پارتیشن نیز انتقال حرارت از دیوار گرم به سرد را کاهش داده، بطوریکه مقدار عدد ناسلت کمتر از یک میشود و با افزایش ابعاد پارتیشن ها عدد ناسلت کاهش می یابد. همچنین نشان داده شده است که در جریان آرام صرف نظر از موقعیت قرار گیری پارتیشن ها و اب عاد آنها، با اعمال میدان مغناطیسی مقدار عدد ناسلت کاهش یافته و به مقداری ثابت میل میکند. با افزایش عدد هارتمن از یک مقدار به بعد، به علت اینکه مکانیزم انتقال حرارت هدایت در محفظه غالب می شود، تغییرات عدد ناسلت ناچیز می شود. در جریان مغشوش نیز مشاهده میشود که با افزایش عدد هارتمن، عدد ناسلت کاهش یافته و به سمت یک میل میکند. در هر موقعیت قرار گیری پارتیشن ه ا در جریان مغشوش ، در هارتمن های پایین با افزایش ارتفاع پارتیشن ها مقادیر عدد ناسلت به شدت کاهش مییابد، اما با افزایش عدد هارتمن، کاهش عدد ناسلت ناشی از افزایش ارتفاع پارتیشن، کم می شود.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

حل عددی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی آزاد از روی صفحه ای عمودی

در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر توزیع سرعت و دما درون لایه ی مرزی پرداخته و در نهایت نرخ انتقال حرارت از صفحات عمودی را در اثر جریان جابجایی آزاد مورد بررسی قرار داده شده است. معادلات مومنتوم و انرژی با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی استخراج شده اند. به کمک پارامتر تشابهی مناسب و استفاده از تابع جریان و بازنویسی معادلات مومنتوم و انرژی بر حسب تابع جریان، معادلات دیفرانسیل مشتق ...

متن کامل

بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در محفظه مثلثی

چکیده-در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه مثلثی شکل به روش عددی بررسی شده است. نانوسیال استفاده شده آب و مس بوده و محفظه تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت می باشد. دیوار مورب محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. اثر اعداد ...

متن کامل

کاربرد روش شبکه بولتزمن در شبیه‌سازی انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال درون یک محفظه متوازی‌الاضلاع شکل در حضور میدان مغناطیسی

چکیده در کار حاضر، برای اولین بار، جابجایی طبیعی نانوسیال درون محفظه متوازی‌الاضلاع شکل با دو مانع مثلثی با شرایط مرزی دمایی متفاوت در حضور میدان مغناطیسی با روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. در شبیه‌سازی صورت گرفته میدان سرعت و دما با حل همزمان معادلات روش شبکه بولتزمن برای توابع توزیع سرعت و دما محاسبه شده است. تأثیر عوامل مختلفی چون عدد رایلی (۱۰۳-۱۰۵)، عدد هارتمن (۰-۹۰)، کسر حجمی ن...

متن کامل

اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب-مس در محفظه t شکل مورب

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه t شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. عدد هارتمن از 0 تا 80 تغییر داده شده ...

متن کامل

مطالعه عددی جابجایی آزاد متلاطم در حضور یک میدان مغناطیسی ثابت داخل یک محفظه مربعی

In this paper, the effect of a constant magnetic field on flow and temperature fields as well as heat transfer in steady state turbulent natural convection in a square enclosure containing liquid metals has been numerically investigated. The left and right walls of the enclosure are hot and cold respectively and the horizontal walls are adiabatic. The effect of variations of Rayleigh number bet...

متن کامل

بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل با استفاده از روش شبکه بولتزمن

در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. دیواره‌های سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیه‌سازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دم...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023